সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট

সিলিকনকার্বাইড সাবস্ট্রেট:

ক কাঁচামাল: SiC প্রাকৃতিকভাবে উত্পাদিত হয় না তবে সিলিকা, কোক এবং অল্প পরিমাণ লবণ দ্বারা মিশ্রিত হয়, এবং গ্রাফাইট চুল্লি 2000 ° C-এর বেশি উত্তপ্ত হয় এবং A-SIC তৈরি হয়। সতর্কতা, একটি গাঢ় সবুজ ব্লক আকৃতির polycrystalline সমাবেশ প্রাপ্ত করা যেতে পারে;

খ. উত্পাদন পদ্ধতি: SiC এর রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা খুব ভাল। সাধারণ পদ্ধতি ব্যবহার করে ঘনত্ব অর্জন করা কঠিন, তাই সাধারণত ভ্যাকুয়াম থার্মাল প্রেসিং পদ্ধতিতে আগুন জ্বালানোর জন্য একটি sintered সাহায্য যোগ করা এবং বিশেষ পদ্ধতি ব্যবহার করা প্রয়োজন;

গ. SiC সাবস্ট্রেটের বৈশিষ্ট্য: সবচেয়ে স্বতন্ত্র প্রকৃতি হল তাপীয় প্রসারণ সহগ বিশেষ করে বড়, এমনকি তামার চেয়েও বেশি তামা, এবং এর তাপ সম্প্রসারণ সহগ Si এর কাছাকাছি। অবশ্যই, কিছু ত্রুটি আছে, তুলনামূলকভাবে, অস্তরক ধ্রুবক উচ্চ, এবং অন্তরণ প্রতিরোধ ভোল্টেজ খারাপ;

D. আবেদন: সিলিকন জন্যকার্বাইড সাবস্ট্রেট, লং এক্সটেনশন, লো ভোল্টেজ সার্কিট এবং ভিএলএসআই হাই কুলিং প্যাকেজের একাধিক ব্যবহার, যেমন হাই স্পিড, হাই ইন্টিগ্রেশন লজিক এলএসআই টেপ, এবং সুপার বড় কম্পিউটার, লাইট কমিউনিকেশন ক্রেডিট লেজার ডায়োড সাবস্ট্রেট অ্যাপ্লিকেশন ইত্যাদি।

কেস সাবস্ট্রেট (BE0):

এর তাপ পরিবাহিতা A1203 এর দ্বিগুণেরও বেশি, যা উচ্চ-শক্তি সার্কিটের জন্য উপযুক্ত, এবং এর অস্তরক ধ্রুবক কম এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সার্কিটের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। BE0 সাবস্ট্রেটটি মূলত একটি শুষ্ক চাপ পদ্ধতিতে তৈরি, এবং এটি MgO এবং A1203 এর ট্রেস পরিমাণ ব্যবহার করেও তৈরি করা যেতে পারে, যেমন একটি টেন্ডেম পদ্ধতি। BE0 পাউডারের বিষাক্ততার কারণে, একটি পরিবেশগত সমস্যা রয়েছে এবং BE0 সাবস্ট্রেট জাপানে অনুমোদিত নয়, এটি শুধুমাত্র মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে আমদানি করা যেতে পারে।