আইটেম: সিলিকন নাইট্রাইড স্তর
উপাদান: Si3N4
রঙ: ধূসর
বেধ: 0.25-1 মিমি
সারফেস প্রসেসিং: ডাবল পালিশ
বাল্ক ঘনত্ব: 3.24 গ্রাম / ㎤
পৃষ্ঠতল রুক্ষতা রা: 0.4μm
নমন শক্তি: (3-পয়েন্ট পদ্ধতি): 600-1000 এমপিএ
স্থিতিস্থাপকের মডুলাস: 310 জিপিএ
ফ্র্যাকচার শক্ততা (যদি পদ্ধতি): 6.5 MPaï½ âˆš √m
তাপীয় পরিবাহিতা: 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস 15-85 ডাব্লু / (এমএইচ কে)
ডাইলেট্রিকের ক্ষতির কারণ: 0.4
আয়তনের প্রতিরোধ ক্ষমতা: 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড> 1014 Î © ï½ ¥ ㎠ãŽ
ভাঙ্গনের শক্তি: ডিসি> 15㎸ / ㎜ ㎜
সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট যেমন বিদ্যুৎ সেমিকন্ডাক্টর মডিউল, বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল এবং রূপান্তরকারী হিসাবে বৈদ্যুতিন ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, উত্পাদন আউটপুট বৃদ্ধি এবং আকার এবং ওজন হ্রাস অন্যান্য অন্তরক উপকরণ প্রতিস্থাপন।
তাদের অত্যন্ত উচ্চ শক্তি তাদেরকে একটি মূল উপাদান তৈরি করে যা তারা ব্যবহৃত পণ্যগুলির জীবন এবং নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধি করে increases
